在今年初的英偉用GTC 2025大會(huì)上，英偉達(dá)更新了數(shù)據(jù)中心GPU路線(xiàn)圖，達(dá)或電首的客公布了下下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)的臺(tái)積名字，稱(chēng)為“Feynman”，批采名字取自于著名物理學(xué)家Richard Phillips Feynman，工藝未來(lái)將接替“Rubin”。英偉用

據(jù)Notebookcheck報(bào)道，英偉達(dá)可能成為臺(tái)積電（TSMC）首批采用A16工藝的臺(tái)積客戶(hù)之一，相對(duì)應(yīng)的批采就是Feynman芯片。通常情況下，工藝英偉達(dá)不會(huì)首先引入臺(tái)積電最先進(jìn)的英偉用制程節(jié)點(diǎn)，而且更為成熟一點(diǎn)的達(dá)或電首的客工藝，就像現(xiàn)在Hopper和Blackwell選擇了4nm工藝，臺(tái)積下一代的批采Rubin才到3nm工藝。Feynman將是工藝英偉達(dá)首款采用GAA架構(gòu)晶體管的芯片，預(yù)計(jì)2028年到來(lái)。

A16基本上可以理解為N2P加入背部供電技術(shù)的產(chǎn)物，計(jì)劃2026年末量產(chǎn)。A16結(jié)合了臺(tái)積電的超級(jí)電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，也就是背部供電技術(shù)，可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復(fù)雜訊號(hào)及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了8-10%，或者在相同速度下，功耗降低了15-20%，同時(shí)密度提升至原來(lái)的1.1倍。

隨著性能和芯片密度的大幅提高，現(xiàn)在先進(jìn)制程的價(jià)格很高，傳聞臺(tái)積電的2nm工藝要從3萬(wàn)美元左右起步。毫無(wú)疑問(wèn)，如果英偉達(dá)選擇支持背面供電技術(shù)的A16工藝，那么肯定也不會(huì)便宜。